开始发售第2代工业用全SiC功率模块

 

        三菱电机株式会社将从2020年10月开始依次发售9款搭载新开发SiC芯片的“第2代工业用全SiC功率模块”。

 

        利用SiC-MOSFET※1和SiC-SBD※2的低损耗和高频运行特性，为各种工业设备的高效化、小型轻量化做出贡献。

 

 

 

     通过采用JFET掺杂技术※3新开发的SiC-MOSFET芯片，与现有品相比※4降低了约15%的通态电阻。此外，通过降低米勒电容※5，实现高速开关，有助于降低开关损耗；

 

      与现有的本公司Si-IGBT模块相比，采用SiC-MOSFET和SiC-SBD，减少了约70%的功率损耗；

 

      通过降低功耗及高频运行，为散热器和电感等周边元件的小型轻量化做出贡献

 

       ※3    JFET(Junction Field Effect Transistor)，结型场效应晶体管

 

       ※4   与本公司相同额定电流的***代SiC对比

 

       ※5   MOSFET栅极和漏极之间的寄生电容(Crss)

 

 

     搭载可以限制短路电流的RTC(Real Time Control)电路※6，保证足够短路时间耐量的同时，实现低通态电阻特性；

 

     短路发生时，模块内部保护电路会动作，抑制短路电流；

 

       ※6   “FMF400BX-24B”“FMF800DX-24B”除外

 

      3．通过优化内部芯片排布，使散热均匀

 

     优化模块内部SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片的分布，使散热均匀。使散热器的小型化、甚至无风扇冷却成为可能；

 

 

　　近年来，从节能和环保的角度，对于可以大幅减少功耗的SiC功率器件的期待日益增长。本公司从2010年开始开发搭载SiC芯片的功率模块产品，此次发售搭载新开发SiC芯片的“工业用第2代全SiC功率模块”，为进一步提高工业设备高效化、小型轻量化做出贡献。






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2021-12-02本文摘自网络